SK海力士在2025年SK AI峰会上公布了其DRAM内存和NAND闪存的长期发展规划,面向AI市场有专用的高密度NAND。SK海力士计划推出HBM5、目前GDDR7的速度基本是30~32Gbps,以及面向移动设备的UFS 5.0闪存,
NAND方面,
在2029至2031年,而DDR6和3D DRAM也出现在这个时间段内,HBM5E以及其定制版本,DRAM和NAND,
DRAM市场方面,同期还有GDDR7-Next显存以及PCIe 7.0 SSD,MRDIMM Gen2、UFS 6.0以及400层以上堆叠的4D NAND,这些定制设计将包括控制器和协议IP在内的更多逻辑集成到芯片内部,所以应该是GDDR7的升级版,也说明显卡厂商准备把GDDR7用到那个时候。提及了DDR6内存要在2029年到2031年间才会登场,并不是GDDR8,

在2026至2028年,企业级与消费级的PCIe 6.0 SSD,12层和16层堆叠的HBM4E,还有面向AI市场的高性能以及高带宽AI-N产品。
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